Dali nga Pagbalhin sa Thyristor

Deskripsyon:

Ang paspas nga switch thyristor, nga adunay parehas nga istruktura ug simbolo sa phase control thyristor, samtang ang mas maayo nga static nga mga kinaiya, labi na ang dinamikong mga kinaiya gikinahanglan sa taas nga frequency nga aplikasyon sa pagtul-id, pagputol, inverter ug frequency conversion circuit.Ang dinamikong mga parameter sa paspas nga thyristor mao ang paspas nga turn-on speed ug turn-on expansion speed, dili kaayo reverse recovery charge, ug mubo nga turn-off time, taas nga kritikal nga pagtaas sa rate sa on-state nga kasamtangan (di/dt) ug kritikal nga rate sa pagtaas sa off-state nga boltahe (dv/dt).Ang rate nga kasamtangan sa paspas nga thyristor sa sulod sa gimarkahan nga frequency dili mokunhod o mokunhod gamay kung ang frequency nagdugang.

Ang paspas nga switch thyristor manufacturing standard ug teknolohiya sa pagproseso sa RUNAU Electronics gipaila gikan sa USA sukad sa 1980s, isip usa ka pioneer sa manufacturing thyristor sa China, ang technical team sa RUNAU nakakuha sa cutting-edge nga kahibalo ug igo nga kasinatian sa manufacturing sulod sa kapin sa 30 ka tuig.Sa sukaranan sa tradisyonal nga proseso sa paggama, ang mga talento nga technician sa RUNAU Electronics nagpalambo sa teknolohiya nga art-of-state sa paghimo sa thyristor nga adunay bentaha nga mga bahin sa mga produkto sa Europa, ang kalidad ug pasundayag labi nga gipauswag, labi ka daghang mga kadaugan nga nakab-ot sa mga aplikasyon sa kuryente, ug dugang nga bili ang gibuhat alang sa mga kauban.

Pasiuna:

1. Chip

Ang thyristor chip nga gigama sa RUNAU Electronics kay sintered alloying nga teknolohiya nga gigamit.Ang silicon ug molybdenum nga wafer gi-sintered alang sa pagsagol sa puro nga aluminum (99.999%) ubos sa taas nga vacuum ug taas nga temperatura nga palibot.Ang pagdumala sa mga kinaiya sa sintering mao ang hinungdan nga hinungdan nga makaapekto sa kalidad sa thyristor.Ang kahibalo sa RUNAU Electronics dugang sa pagdumala sa haluang junction giladmon, nawong patag, haluang metal lungag ingon man sa bug-os nga pagsabwag kahanas, singsing lingin pattern, espesyal nga ganghaan istruktura.Usab ang espesyal nga pagproseso gigamit aron makunhuran ang kinabuhi sa carrier sa device, aron ang internal nga carrier recombination speed gipaspasan pag-ayo, ang reverse recovery charge sa device gipakunhod, ug ang switching speed miuswag tungod niini.Ang ingon nga mga pagsukod gipadapat aron ma-optimize ang paspas nga pagbalhin nga mga kinaiya, on-state nga mga kinaiya, ug pagdagsang sa kasamtangan nga kabtangan.Ang performance ug conduction operation sa thyristor kasaligan ug episyente.

2. Encapsulation

Pinaagi sa estrikto nga pagkontrolar sa flatness ug parallelism sa molybdenum wafer ug external package, ang chip ug molybdenum wafer i-integrate sa external package nga hugot ug hingpit.Ang ingon nga ma-optimize ang resistensya sa surge current ug high short circuit current.Ug ang pagsukod sa teknolohiya sa electron evaporation gigamit sa paghimo sa usa ka baga nga aluminum film sa silicon wafer surface, ug ang ruthenium layer nga gipahiran sa molybdenum surface makapauswag pag-ayo sa thermal fatigue resistance, ang work life time sa fast switch thyristor madugangan pag-ayo.

Teknikal nga espesipikasyon

1. Fast switch thyristor nga adunay alloy type chip nga gigama sa RUNAU Electronics, range sa I_TAVgikan sa 200A hangtod sa 4000A ug V_DRM/V_RRMgikan sa 1200V hangtod 4500V.
2. I_GT, V_GTug ako_Hmao ang mga kantidad sa pagsulay sa 25 ℃, gawas kung gipahayag, ang tanan nga uban pang mga parameter mao ang mga kantidad sa pagsulay ubos sa T_jm;
3. I²t=ako²F SM×tw/2, tw= Sinusoidal half wave kasamtangan nga base gilapdon.Sa 50Hz, ako²t=0.005I²FSM(A²S);
4. Sa 60Hz: I_FSM(8.3ms)=I_FSM(10ms)×1.066,T_j=T_j;Ako²t(8.3ms)=I²t(10ms)×0.943,T_j=T_jm

Parameter: