Fast Switch Thyristor (taas nga standard nga serye sa YC)

Deskripsyon

Ang GE manufacturing standard ug pagproseso nga teknolohiya gipaila ug gigamit sa RUNAU Electronics sukad sa 1980s.Ang kompleto nga kahimtang sa paghimo ug pagsulay hingpit nga nahiuyon sa kinahanglanon sa kinahanglanon sa merkado sa USA.Isip usa ka pioneer sa paghimo sa thyristor sa China, ang RUNAU Electronics naghatag sa arte sa state power electronics device ngadto sa USA, European nga mga nasud ug global users.Kwalipikado kaayo kini ug gitan-aw sa mga kliyente ug daghang dagkong kadaugan ug kantidad ang gihimo alang sa mga kauban.

Pasiuna:

1. Chip

Ang thyristor chip nga gigama sa RUNAU Electronics kay sintered alloying nga teknolohiya nga gigamit.Ang silicon ug molybdenum nga wafer gi-sintered alang sa pagsagol sa puro nga aluminum (99.999%) ubos sa taas nga vacuum ug taas nga temperatura nga palibot.Ang pagdumala sa mga kinaiya sa sintering mao ang hinungdan nga hinungdan nga makaapekto sa kalidad sa thyristor.Ang kahibalo sa RUNAU Electronics dugang sa pagdumala sa haluang junction giladmon, nawong patag, haluang metal lungag ingon man sa bug-os nga pagsabwag kahanas, singsing lingin pattern, espesyal nga ganghaan istruktura.Usab ang espesyal nga pagproseso gigamit aron makunhuran ang kinabuhi sa carrier sa device, aron ang internal nga carrier recombination speed gipaspasan pag-ayo, ang reverse recovery charge sa device gipakunhod, ug ang switching speed miuswag tungod niini.Ang ingon nga mga pagsukod gipadapat aron ma-optimize ang paspas nga pagbalhin nga mga kinaiya, on-state nga mga kinaiya, ug pagdagsang sa kasamtangan nga kabtangan.Ang performance ug conduction operation sa thyristor kasaligan ug episyente.

2. Encapsulation

Pinaagi sa estrikto nga pagkontrolar sa flatness ug parallelism sa molybdenum wafer ug external package, ang chip ug molybdenum wafer i-integrate sa external package nga hugot ug hingpit.Ang ingon nga ma-optimize ang resistensya sa surge current ug high short circuit current.Ug ang pagsukod sa teknolohiya sa electron evaporation gigamit sa paghimo sa usa ka baga nga aluminum film sa silicon wafer surface, ug ang ruthenium layer nga gipahiran sa molybdenum surface makapauswag pag-ayo sa thermal fatigue resistance, ang work life time sa fast switch thyristor madugangan pag-ayo.

Teknikal nga espesipikasyon

1. Ang paspas nga switch thyristor nga adunay alloy type chip nga gihimo sa RUNAU Electronics nga makahimo sa paghatag sa hingpit nga kwalipikado nga mga produkto sa sumbanan sa USA.
2. I_GT, V_GTug ako_Hmao ang mga kantidad sa pagsulay sa 25 ℃, gawas kung gipahayag, ang tanan nga uban pang mga parameter mao ang mga kantidad sa pagsulay ubos sa T_jm;
3. I²t=ako²F SM×tw/2, tw= Sinusoidal half wave kasamtangan nga base gilapdon.Sa 50Hz, ako²t=0.005I²FSM(A²S);
4. Sa 60Hz: I_FSM(8.3ms)=I_FSM(10ms)×1.066,T_j=T_j;Ako²t(8.3ms)=I²t(10ms)×0.943,T_j=T_jm

Parameter: