Phase Control Thyristor (Alloying Type)

Deskripsyon:

Ang Thyristor, nailhan usab nga Silicon Control Rectifier (SCR), usa ka high-power semiconductor device nga gilangkuban sa tulo ka PN structures.Sa termino sa performance, ang thyristor dili lamang adunay unidirectional conductivity, apan usab adunay mas bililhon nga pagkontrolar kay sa silicon rectifier elemento, nga duha lamang ka estado sa conduction ug off-estado, sa pagkontrolar sa dako nga gahum uban sa gamay nga gahum, gahum amplification ngadto sa gatusan o linibo ka beses.Ang reaksyon kusog kaayo, nag-on ug nag-off sa micro-segundos.Non-contact nga operasyon, walay aligato, walay kasaba, samtang taas nga efficiency ug ubos nga gasto.Busa, labi na sa taas nga sistema sa suplay sa kuryente, ang thyristor kaylap nga gigamit sa rectifier circuit, static bypass switch, contact-free output switch ug uban pang mga sirkito.

Ang thyristor manufacturing standard ug processing technology sa RUNAU Electronics gipaila-ila gikan sa USA sukad sa 1980s, isip usa ka pioneer sa manufacturing thyristor sa China, ang technical team sa RUNAU nakakuha sa cutting-edge nga kahibalo ug igo nga kasinatian sa manufacturing sulod sa kapin sa 30 ka tuig.Sa sukaranan sa tradisyonal nga proseso sa paggama, ang mga talento nga technician sa RUNAU Electronics nagpalambo sa teknolohiya sa art-of-state sa paghimo sa thyristor nga adunay bentaha nga mga bahin sa mga produkto sa Europa, ang kalidad ug pasundayag labi nga gipauswag, labi nga daghang mga kadaugan nga nakab-ot sa aplikasyon sa mga elektroniko nga gahum. fields, ug dugang nga bili ang gihimo alang sa mga kauban.

Pasiuna:

1. Chip

Ang thyristor chip nga gigama sa RUNAU Electronics kay sintered alloying nga teknolohiya nga gigamit.Ang silicon ug molybdenum nga wafer gi-sintered alang sa pagsagol sa puro nga aluminum (99.999%) ubos sa taas nga vacuum ug taas nga temperatura nga palibot.Ang pagdumala sa mga kinaiya sa sintering mao ang hinungdan nga hinungdan nga makaapekto sa kalidad sa thyristor.Ang kahibalo sa RUNAU Electronics dugang pa sa pagdumala sa haluang junction depth, surface flatness, alloy cavity ingon man bug-os nga diffusion skill, center gate, ring circle pattern gigamit aron makahimo sa kasaligan ug taas nga episyente nga conduction operation sa thyristor, aron sa pagsiguro sa taas nga kalidad nga performance.

2. Encapsulation

Pinaagi sa estrikto nga pagkontrolar sa flatness ug parallelism sa molybdenum wafer ug external package, ang chip ug molybdenum wafer i-integrate sa external package nga hugot ug hingpit.Ang ingon nga ma-optimize ang resistensya sa surge current ug high short circuit current.Ug ang pagsukod sa teknolohiya sa pag-alisngaw sa elektron gigamit sa paghimo sa usa ka baga nga aluminum film sa silicon wafer surface, ug ang ruthenium layer nga gipahiran sa molybdenum surface makapauswag pag-ayo sa thermal fatigue resistance, ang work life time sa thyristor madugangan pag-ayo.

Teknikal nga espesipikasyon

1. Phase controlled thyristor nga adunay alloy type chip nga gigama sa RUNAU Electronics, range sa I_TAVgikan sa 300A hangtod sa 6000A ug V_DRM/V_RRMgikan sa 800V hangtod 4400V.
2. I_GT, V_GTug ako_Hmao ang mga kantidad sa pagsulay sa 25 ℃, gawas kung gipahayag, ang tanan nga uban pang mga parameter mao ang mga kantidad sa pagsulay ubos sa T_jm;
3. I²t=ako²F SM×tw/2, tw= Sinusoidal half wave kasamtangan nga base gilapdon.Sa 50Hz, ako²t=0.005I²FSM(A²S);
4. Sa 60Hz: I_FSM(8.3ms)=I_FSM(10ms)×1.066,T_j=T_j;Ako²t(8.3ms)=I²t(10ms)×0.943,T_j=T_jm

Parameter: