Ang bag-ong tipo nga simulation design platform sa power semiconductor device natukod sa Runau bag-o lang.Uban sa tabang sa advanced simulation platform ug hiniusa nga pagsulay ug pagtuki, ang lawom nga panukiduki bahin sa istruktura sa aparato ug ang may kalabutan nga sukaranan nga teorya nahimo nga mabungahon.Ang leverage sa cutting-edge nga theory ug research platform naghimo sa kompanya nga naugmad ug nahanas ang yawe nga teknolohiya sa pagproseso sa 5” thyristor chip, GTO ug IGCT.Usa ka bug-os nga kapabilidad sa proseso sa paghimo sa thyristor, rectifier diode, schottky module, IGCT, IGBT, high-voltage & high-current thyristor, ingon man sa pagtukod sa pilot test platform alang sa ultra-fast recovery diodes, ang tanan anaa sa Runau nga malampuson.Ang usa ka dugang nga lig-on nga lakang sa pagtukod sa base sa paghimo sa gahum electronics device sa China, kita sa dalan.